RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3393
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link