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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
84
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
84
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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