RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
55
Autour de 49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
55
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2185
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link