RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
48
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2453
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link