RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1711
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link