RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3154
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link