RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3729
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link