RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2323
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Mushkin 994083 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link