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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
35
Autour de -106% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
17
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3731
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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