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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3606
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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