RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2491
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link