RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3936
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link