RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3282
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link