RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2735
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link