RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2507
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link