RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2479
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link