RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3312
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link