RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2313
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link