RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3772
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link