RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
24.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
19.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
4174
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link