RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3535
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link