RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2903
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link