RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2525
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link