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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3119
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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