RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3297
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link