RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2657
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link