RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2529
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link