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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2608
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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