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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
3651
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calculate
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