RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
39
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
3327
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link