RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
58
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
58
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
9.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
2172
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link