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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
3394
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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