RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
47
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
47
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2323
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link