RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
39
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2930
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link