RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3343
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link