RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
4008
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link