RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3675
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link