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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2685
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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