RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2384
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link