RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2196
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link