RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2740
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link