RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
4014
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link