RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
76
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
76
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1859
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905316-152.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link