RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2443
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link