RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2356
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link