RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2430
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link