RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2633
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link