RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
64
Autour de 39% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
64
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2103
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link