RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
4217
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link