RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
56
Autour de -81% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3405
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link